• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>NEC Research & Development >Millimeter-Wave MMICs with Quarter-Micron Au/WSi Gate AlGaAs/InGaAs HJFETs
【24h】

Millimeter-Wave MMICs with Quarter-Micron Au/WSi Gate AlGaAs/InGaAs HJFETs

机译：具有四分之一微米Au / WSi栅极AlGaAs / InGaAs HJFET的毫米波MMIC

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Millimeter-wave MMICs (Microwave Monolithic ICs) having quarter-micron T-shaped (Au/WSi) gate AlGaAs/InGaAs Heterojunction FETs (HJFETs) have been developed for the first time. The quarter-micron length gate was successfully formed by 0.45 μm photolithography technology by employing the silicon dioxide inner side-wall technique and the ECR (Electron Cyclotron Resonance) etching technology. In order to reduce drain-to-gate parasitic capacitance, we removed the dielectric film (SiO_2) between the cap of the T-shaped gate and the channel layer. The f_(max) of 170 GHz was achieved for 100 μm gate width device. An output power of 23 dBm was obtained with a linear gain of 12 dB for a prototype 2-stage MMIC at 40 GHz band, with high reliability.
机译：首次开发出具有四分之一微米T形（Au / WSi）栅极AlGaAs / InGaAs异质结FET（HJFET）的毫米波MMIC（微波单片IC）。通过使用二氧化硅内侧壁技术和ECR（电子回旋共振）蚀刻技术，通过0.45μm光刻技术成功形成了四分之一微米长的栅极。为了减少漏极到栅极的寄生电容，我们去除了T形栅极盖和沟道层之间的介电膜（SiO_2）。对于100μm栅极宽度的器件，可以达到170 GHz的f_（max）。对于40 GHz频段的原型2级MMIC，获得了23 dBm的输出功率和12 dB的线性增益。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号