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【24h】

“水性イング”を使ってcu配線のリーク電流を7ケタ低減

机译:通过使用“水基材料”将铜接线的泄漏电流降低7位

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摘要

Siウェーハを“水性インク”のような水ベーrnスの材料で覆って,Cu配線間のリーク電流rnを劇的に改善する。こうした革新的な技術rnを,米Advanced Micro Devices,Inc.(AMD)rnと米Intermolecular,Inc.が共同で開発した。rn45nm世代相当のダミーのCu配線パターンrnを形成したチップで,配線間のリーク電流をrn従来比で7ケタ低減できた。
机译:Si晶片被诸如“水性墨水”之类的水性材料覆盖,以显着改善Cu布线之间的泄漏电流rn。此创新技术基于Advanced Micro Devices,Inc.。 (AMD)rn和美国分子间公司共同开发。与传统rn相比,具有虚拟Cu布线图案rn对应于45nm世代的芯片能够将布线之间的泄漏电流降低7位。

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