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32nmの量産へ向け各社の開発が加速ひずみやhigh-k/メタルの最新技術を絙介: 次世代プロセスの動向やコスト削減のための提言も

机译:两家公司均采用加速应变和高k /金属的最新技术来开发,以实现32 nm的批量生产:下一代工艺的趋势和降低成本的建议

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摘要

2008年11月12日(水),東京都千代田区の灘尾ホールにおぃて「第6回半導体プロセス開発最前線rnセミナー」(日経マイクロデバイス主催)が開催された。2009年から2010年にかけてぃよぃよrn32nmプ口セスによるLSIの量産が始まる。high-kゲート絶縁膜/メタル・ゲートやひずみSi,解像度をrn補う液浸リソグラフィ技術などの多様な最先端技術がこの32nmプ口セスで導入される見込みだ。今回rnのセミナーでは,デバイスメーカーや装置メーヵーがこうした技術に対する取り組みにつぃて語った。
机译:由Nikkei Microdevices赞助的“第六届半导体工艺开发前沿研讨会”于2008年11月12日在东京都千代田区Nada Hall举行。从2009年到2010年,采用32纳米工艺的LSI开始批量生产。预计在此32 nm工艺中将引入各种尖端技术,例如高k栅绝缘膜/金属栅,应变Si和浸没式光刻技术以补偿分辨率。在这次研讨会上,设备制造商和设备制造商谈到了他们在这些技术上的努力。

著录项

  • 来源
    《日経マイクロデバイス》 |2009年第283期|88-89|共2页
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