• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>日経マイクロデバイス >TSVベースの3次元化が半導体の基盤技術に
【24h】

TSVベースの3次元化が半導体の基盤技術に

机译：TSV基的三维化成为半导体的基本技术

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

TSV（Si貫通ビア）を使った3次元積層技術は，rn半導体の一般的な製造技術として使われるようrnになると考えている。現在の応用先のほとんどrnはCMOSイメージ・センサーだが，2010年からrn市場規模の大きなメモリーにも広がっていくとrn予測している（図7）。rnわれわれは，2008～2015年におけるTSV加rn工ウエーハの平均年間成長率が，50%以上に達rnすると見ている。特にDRAMやフラッシュ・rnメモリーを重ねた積層メモリーが，2012年以降rnはTSVを適用したSiウエーハの大半を占めるよrnうになる。
机译：我们相信，使用TSV（通过硅过孔）的三维堆叠技术将用作rn半导体的常规制造技术。当前的大多数应用是CMOS图像传感器，但我们预计它们将从2010年开始在市场上扩展到大规模存储器（图7）。我们预计2008-2015年TSV晶圆的年均增长率将超过50％。尤其是，自2012年以来，采用DRAM，闪存和rn存储器堆叠的堆叠存储器将成为大多数已应用TSV的Si晶圆。

著录项

  • 来源
    《日経マイクロデバイス》 |2009年第286期|22-25|共4页
  • 作者

    Jerome BARON;

  • 作者单位

    仏YoLe DeveIoppement社 TechnoIogy Marketing Analyst・MEMS＆Advanced Packaging;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号