首页> 外文期刊>日経マイクロデバイス >コスト削減が普及のカギ目指すは50米ドル/ウエーハ
【24h】

コスト削減が普及のカギ目指すは50米ドル/ウエーハ

机译:降低成本是普及的关键:每片50美元

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

TSV(Si貫通ビア)を普及させるための条件が見えてきた。TSVの形成に必要な加工コストの大幅rnな低減である。元来,TSVを使った3次元化技術は,デバイスの性能の形成向上を狙って開発さrnれた。しかし応用先は,イメージ・センサーをはじめとするコスト重視のデバイスにも広がっている。rn今後,コスト重視デバイスのうち出荷数量の大きなメモリーに普及することで,TSVは半導体のrn基盤技術として定着する。普及に向けてクリアすべき加エコストの条件は,1ウエーハ当たり50米rnドルである。これは,現在の1/3以下,装置各社が直近で掲げる目標の半分以下となる。
机译:TSV(硅通孔)普及的条件已经得到考虑。这大大降低了形成TSV所需的处理成本。最初,开发了使用TSV的三维技术,旨在改善器件性能的形成。但是,其应用正在扩展到对成本敏感的设备,例如图像传感器。将来,TSV将通过扩展到内存而成为一种基本的半导体技术,而内存是成本导向型设备之一,并且出货量很大。广泛使用的额外成本要求是每片晶圆50美元。这不到当前水平的三分之一,也不到设备制造商设定的最新目标的一半。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号