EUV露光は，大量生産品を前提とすrnる技術である。少量生産品を主に生産rnする半導体メーカーにとっては，導入にrn必要な資金が巨額すぎるために，EUVrn露光の採用は難しい。筆者は，少量生rn産品の量産向けの20nm台の露光技術rnを模索する情報を知り，少なからず驚いrnた。米国の2009年5月12日付『solid-StaternTbcbnology』（電子版）に掲載された「Arnnew NGL between ArF Immersion and EUVL」と題する寄稿である（図A）。これrnに関連して2009年9月に，電気学会の「リrnソグラフィー極限技術調査専門委員会」rnにおいて，この寄稿と同じ内容に関するrn意見交換がなされたとの情報もある。
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