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【24h】

貫通電榦形成ソリューション Zero Newton~r

机译：渗透电极形成溶液零牛顿〜r

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小型化、高性能化が進む電子機器では、LSIの小型薄型化に対する要求に 応えるために、大容量メモリや携帯機器用LSIを手掛けるメーカーの間で、 薄型LSIチップと貫通電極（TSV）を組み合わせた3次元実装技術が注目さ れています。これは数十μmまで厚さを薄くしたLSIチップを積層したうえで、こ れらのLSIチップを貫通電極で接続する手法ですが、ここで使う極薄化した ウエハは簡単に湾曲するため、そのままでは貫通電極を形成するための加工 が困難でした。
机译：在变得越来越小且具有更高性能的电子设备中，为了满足对更小，更薄的LSI的需求，在大容量存储器和移动设备LSI的制造商之间已经使用了薄LSI芯片和硅通孔（TSV）的组合。 3D安装技术正在受到关注。这种方法是将已经变薄到几十微米的LSI芯片堆叠起来，然后将这些LSI芯片与贯通电极连接起来的方法。但是，由于这里使用的超薄晶圆很容易弯曲，实际上，难以加工贯通电极。

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