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摘要

Siウエーハの端部(ベベル)に付着した汚染をエッチングで 高精度に除去できるチャンバ(図1)。ウエーハ周縁部でのチッ プ取れ数を高めたり,高誘電率(high-k)膜/メタル・ゲートな どの新材料の導入による歩留まり低下を抑えたりできる。今回 の装置は,ウエーハ端面から1~3mmの範囲で,汚染除去の ためのエッチング幅を0.1mm単位で制御できる。従来は,エ ッチング幅の制御単位が約0.5mmだった。今回,二つの改良 によりエッチング幅の制御性を高めた。
机译:通过高精度蚀刻可以去除附着在硅片边缘(斜角)上的污染物的腔室(图1)。由于引入了诸如高介电常数(high-k)膜/金属栅极之类的新材料,可以增加在晶片的外围边缘处可以取出的芯片的数量,并且可以抑制成品率的降低。这次,该设备可以控制蚀刻宽度,以在晶片表面的1至3 mm范围内以0.1 mm为单位除去污染物。过去,蚀刻宽度的控制单元为约0.5mm。这次,进行了两项改进以改善蚀刻宽度的可控制性。

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