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【24h】

NAND型は多値品が主流に書き込み速度は10Mバイト/秒を突破

机译:多值NAND类型是主流,写入速度超过10 MB /秒。

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摘要

微細化と共にNAND型の大容量化を支えている技術が,一つのセルに2ビット以上のデータを蓄積する多値化である。浮遊ゲート構造のNAND型では,浮遊ゲートに電荷が蓄積されている状態とほとんど蓄積されていない状態をデータ“1”と“0”に対応させることで,1ビット/セル(single level cell:SLC)を実現する。これに対し,多ビット/セル(multi level cell:MLC)は,浮遊ゲートに蓄積する電荷量を2のべき乗通りに分けて,それぞれの状態にデータを割り振る。例えば,量産化されている2ビット/セルでは,浮遊ゲートに蓄積する電荷量を4通りに分け,“00”,“01”,“10”,“11”に対応させる。
机译:支持NAND型大容量以及小型化的技术是多值存储,可在一个单元中存储2位以上的数据。在具有浮栅结构的NAND类型中,每单元1位(单级单元:SLC) )实现。另一方面,多层单元(MLC)将浮栅中累积的电荷量划分为2的幂,并将数据分配给每个状态。例如,在批量生产的2位/单元中,浮置栅极中累积的电荷量被分为四种类型,分别对应于“ 00”,“ 01”,“ 10”和“ 11”。

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