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机译:暴露于高通量氘等离子体中的钨和钨钽合金中的氘保留
SCK-CEN, Boeretang 200, 2400 Mol, Belgium,Department of Applied Physics, Ghent University, Plateaustraat 22, 9000 Ghent, Belgium;
Department of Applied Physics, Ghent University, Plateaustraat 22, 9000 Ghent, Belgium;
FOM Institute DIFFER - Dutch Institute for Fundamental Energy Research, Edisonbaan 14, 3439 MN Nieuwegein, The Netherlands;
SCK-CEN, Boeretang 200, 2400 Mol, Belgium;
Department of Applied Physics, Ghent University, Plateaustraat 22, 9000 Ghent, Belgium;
机译:高通量氘等离子体暴露的钨和钨钽合金的表面改性及其对氘保留的影响
机译:钨和钨钽合金中高通量氘等离子体引起的改性的深度剖析
机译:暴露于高通量氘-氖混合等离子体下的钨中的起泡和氘保留降低
机译:钨和钼暴露于低能量,高通量氘质等离子体的表面改性和氘保留
机译:钨钽合金的性能作为相关融合条件的等离子体面向等离子体
机译:锆元素对W-Zr / Sc2O3复合材料的微观结构和氘保留的影响
机译:钨和钨中的氘保留:暴露于高通量氘等离子体的钽合金