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東北大+東大、グラフェンデバイス動作中表面電位のピンポイント測定

机译:东北大学+东京大学,精确测量石墨烯器件运行期间的表面电势

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摘要

東北大学電気通信研究所の吹留博一准教授•末光真希教授らのグループは、東京大学他のグループと共同で東京大学放射光アウトステーションBLO7LSU(SPring-8)にある三次元ナノESCA装置(空間分解能70nm)を用いて、動作中のグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の狙った場所の電位をピンポイントで測定する技術の開発に初めて成功した。
机译:东北大学电气通信研究所副教授富田裕一我们首次成功开发出一种技术,该技术使用70 nm的空间分辨率来测量工作中的石墨烯场效应晶体管(GFET)的目标位置处的电势。

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  • 来源
    《OPTCOM》 |2014年第7期|18-18|共1页
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