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A simple method for fabrication of graphene-silicon Schottky diode for photo-detection applications

机译：一种用于光检测应用的石墨烯-硅肖特基二极管的简单制造方法

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摘要

In this work, we proposed a new method to fabricate a graphene/silicon Schottky diode using laser ablation of highly oriented pyrolytic graphite in liquid nitrogen to form few layers of graphene. This method, compared to other fabrication approaches for graphene-based devices is simpler, cost effective, efficient, and enjoys a higher degree of repeatability. The obtained Ⅰ-Ⅴ characteristics show that the device's ideality factor is about 7 for n-type and 17 for p-type substrates. A graphene/p-type Si Schottky diode with the Schottky barrier height of 0.45 eV at room temperature shows higher degree of sensitivity to light than an n-type one with the barrier height of 0.41 eV. It is shown that the measured current increases with the ambient temperature. An n-type substrate shows a better reproducibility in terms of the Schottky diode current.
机译：在这项工作中，我们提出了一种新的方法来制造石墨烯/硅肖特基二极管，该方法是在液态氮中使用激光将高度取向的热解石墨烧蚀形成几层石墨烯。与基于石墨烯的器件的其他制造方法相比，该方法更简单，成本效益更高，效率更高，可重复性更高。获得的Ⅰ-Ⅴ特性表明，器件的理想因数对于n型衬底约为7，对于p型衬底约为17。室温下肖特基势垒高度为0.45 eV的石墨烯/ p型Si肖特基二极管比势垒高度为0.41 eV的n型二极管对光的敏感性更高。结果表明，测得的电流随环境温度的升高而增加。就肖特基二极管电流而言，n型衬底表现出更好的可重复性。

著录项

  • 来源
    《Optical and quantum electronics》 |2015年第3期|613-620|共8页
  • 作者

    Ali Fattah; Saeid Khatami;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran;

    Department of Electrical Engineering, Amirkabir University of Technology, Tehran, Iran;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Graphene; Silicon; Schottky; Diode; Photodetection;

    机译：石墨烯硅;肖特基二极管;光电探测;

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