机译:GaN / AlN常数总有效半径多量子阱的光学性质
Department of Physics, Faculty of sciences, Qom University of Technology, Qom, Iran;
Department of Physics, Faculty of sciences, Qom University of Technology, Qom, Iran;
Absorption coefficient; Subband energies; Constant total effective radius multi-wells quantum rings; Wave function engineering by tuning of the number of wells and the total ring radius;
机译:磁场对具有恒定总有效半径的GaN / AlN多阱量子环和点的线性光学特性的影响
机译:GaN / AlN常数总有效半径多量子阱的非线性光学性质
机译:两个电子GaN / AlN常数总有效半径多壳量子环的子带间光学特性
机译:原子和内极化对GaN / AlN量子点的电子和光学性质的影响:数百万原子耦合的VFF MM-sp 3 sup> d 5 sup> s ∗ < / sup>紧密绑定模拟
机译:超薄In(Ga)AS / GaAs和(Ga)n / GaN量子阱的光学性质
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:在非极性平面上生长的纤锌矿型GaN / AlN量子点的光学特性:堆垛层错在减小内部电场中的作用