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Physical properties of Mo-doped ZnO by first principles and Boltzmann equations

机译：钼掺杂ZnO的物理性质的第一性原理和玻尔兹曼方程

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The effect of Mo-dopant on the structural, electronic, optical and electrical properties of ZnO have been investigated via both first principles study and Boltzmann equations. Results show that, the incorporations of Mo-dopant on Zn-site lead to a blue-shift in the optical gap energy. Furthermore, these incorporations create shallow donor states partially filled around Fermi level in the bottom of the conduction band. Hence, the transmittance is decreased in the visible-IR, whereas, is significantly improved in the UV region. More importantly, the electrical conductivity is fairly enhanced even at high Mo-concentration. Finally, this study reveals to potential to use of Mo-doped ZnO system as n-type transparent conducting electrode.
机译：通过第一性原理研究和玻尔兹曼方程研究了钼掺杂剂对ZnO的结构，电子，光学和电学性质的影响。结果表明，Mo-掺杂剂在Zn-位上的掺入导致光隙能量发生蓝移。此外，这些结合产生浅的供体态，该浅的供体态部分地填充在导带底部的费米能级附近。因此，在可见光IR中透射率降低，而在UV区中透射率显着提高。更重要的是，即使在高Mo浓度下，电导率也被相当大地提高。最后，这项研究揭示了将Mo掺杂的ZnO系统用作n型透明导电电极的潜力。

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