Suppression Of Q-switching Instabilitiesin Broadened-waveguide Monolithic Mode-lockedlaser Diodes

E. A. Avrutin; E. L. Portnoi

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Suppression Of Q-switching Instabilitiesin Broadened-waveguide Monolithic Mode-lockedlaser Diodes

机译：抑制q切换稳定性在扩大 - 波导单片模式锁定激光二极管

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It is predicted theoretically that broadening the optical confinement layer in monolithic mode-locked semiconductor lasers may suppress Q-switching instability, by increasing the carrier transport time, and lead to emission of shorter, more stable optical pulses.

机译：从理论上预测，通过增加载波传输时间并导致更短，更稳定的光学脉冲的发射，从理论上预测扩大光学限制层可以抑制Q切换不稳定性。

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来源
《Optical and quantum electronics》 |2008年第9期|655-664|共10页
作者
E. A. Avrutin; E. L. Portnoi;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
diode lasers; lrge optical cavity lasers; mode-locked lasers;

机译：二极管激光器;LRGE光学腔激光器;锁定激光器;

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