Design of a high sensitivity emitter-detector avalanche photodiode imager using very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire

Alvin G. Stern

首页> 外文期刊>Optical Engineering >Design of a high sensitivity emitter-detector avalanche photodiode imager using very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire

【24h】

Design of a high sensitivity emitter-detector avalanche photodiode imager using very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire

机译：使用非常高的透射率，背照式，蓝宝石上的硅的高灵敏度发射器-探测器雪崩光电二极管成像器的设计

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

We present a detailed design study for a novel solid-state focal plane array of silicon avalanche photodiodes (APDs) using an advanced silicon-on-sapphire substrate incorporating an antireflective bilayer consisting of crystalline aluminum nitride (AlN) and amorphous, non-stoichiometric, silicon rich, silicon nitride (a-SiNX10 in active detection mode for Lambert surfaces at 20,000 m.

机译：我们目前使用先进的蓝宝石硅衬底结合了由晶体氮化铝（AlN）和非晶态非化学计量组成的抗反射双层结构，对新型硅雪崩光电二极管（APD）固态焦平面阵列进行详细设计研究。富硅氮化硅（a-SiNX10在20,000 m处处于Lambert表面的主动检测模式。

著录项

来源
《Optical Engineering》 |2012年第6期|p.1-22|共22页
作者
Alvin G. Stern;
展开▼
作者单位

AG STERN, LLC, Newton, Massachusetts 02467;

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High-sensitivity, wide-dynamic-range avalanche photodiode pixel design for large-scale imaging arrays [J] . Alvin G. Stern and Daniel C. Cole Journal of Electronic Imaging . 2010,第2期

机译：用于大型成像阵列的高灵敏度，宽动态范围雪崩光电二极管像素设计
2. High-sensitivity, wide-dynamic-range avalanche photodiode pixel design for large-scale imaging arrays [J] . Alvin G. Stern, Daniel C. Cole Journal of electronic imaging . 2010,第2期

机译：用于大型成像阵列的高灵敏度，宽动态范围雪崩光电二极管像素设计
3. A Novel, High-Dynamic-Range, High-Speed, and High-Sensitivity CMOS Imager Using Time-Domain Single-Photon Counting and Avalanche Photodiodes [J] . El-Desouki M. M.Palubiak D.Deen M. J.Fang Q.Marinov O. Sensors Journal, IEEE . 2011,第4期

机译：使用时域单光子计数和雪崩光电二极管的新型，高动态范围，高速，高灵敏度CMOS成像器
4. Development of high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire substrates for high quantum efficiency and high resolution avalanche photodiode imaging arrays [C] . Stern Alvin G. 2011 IEEE Photonics Conference . 2011

机译：开发高透射率，背照式蓝宝石上的硅衬底，以实现高量子效率和高分辨率雪崩光电二极管成像阵列
5. Design, analysis, and macroscopic modeling of high speed photodetectors emphasizing the joint opening effect avalanche photodiode and the lateral p-i-n photodiode. [D] . Haralson, Joe Nathan, II. 1999

机译：高速光电探测器的设计，分析和宏观建模，强调了联合打开效应雪崩光电二极管和横向p-i-n光电二极管。
6. Development of Gated Pinned Avalanche Photodiode Pixels for High-Speed Low-Light Imaging [O] . Tomislav Resetar, Koen De Munck, Luc Haspeslagh, 2016

机译：用于高速微光成像的门控固定雪崩光电二极管像素的开发
7. Design of a high sensitivity emitter-detector avalanche photodiode imager using very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire [O] . Alvin G. Stern 2012

机译：使用非常高的透射率，后照明，蓝宝石设计高灵敏度发射极探测器雪崩光电二极管成像器的设计

Design of a high sensitivity emitter-detector avalanche photodiode imager using very high transmittance, back-illuminated, silicon-on-sapphire

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅