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【24h】

CdSe band-splitting on thermal annealed films

机译：CdSe在热退火薄膜上的能带分裂

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Semiconducting polycrystalline CdSe thin films were prepared on glass substrates by chemical bath at 65 deg. C. As- deposited films grew in the metastable cubic sphalerite (S) crystalline structure with good stoichiometry. Upon thermal annealing (TA) in Ar+Se_2 atmosphere at different temperatures in the range 200-500 deg. C, the gradual phase trans- formation from cubic modification to hexagonal wurtzite (W) stable phase could e observed. From optical absorption measurements the fundamental energy band gap (Eg) and the second electronic transition (Eg+△Eg) were calculated for as-deposited and thermal annealed films.
机译：通过在65度化学浴在玻璃基板上制备半导体多晶CdSe薄膜。 C.沉积膜以良好的化学计量比在亚稳态立方闪锌矿（S）晶体结构中生长。在Ar + Se_2气氛中，在200-500度范围内的不同温度下进行热退火（TA）时。 C，可以观察到从立方晶到六方纤锌矿（W）稳定相的逐渐相变。从光吸收测量中，计算出沉积和热退火膜的基本能带隙（Eg）和第二电子跃迁（Eg +△Eg）。

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