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【24h】

Czochralski growth of (La,Sr)(Al,Ta)O_3 single crystal

机译:(La,Sr)(Al,Ta)O_3单晶的直拉生长

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摘要

Twin- and crack-free single crystals of (La,Sr)(Al,Ta)O_3 with mixed-perovskite structure have been grown using the Czochralski method. These new crystals with a typical size of 55 mm in diameter and 50 mm in length are potential substrate candidates for growing large size and epitaxial HTS and GaN films. Their dielectric constant and dielectric loss at room temperature are 23 and 1 x 10~(-4), respectively.
机译:使用切克劳斯基方法生长了具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O_3单晶和无裂纹单晶。这些新型晶体的典型直径为55毫米,长度为50毫米,是潜在的用于生长大尺寸和外延HTS和GaN膜的衬底候选物。它们在室温下的介电常数和介电损耗分别为23和1 x 10〜(-4)。

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