...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Optical Materials >Nonequivalent lanthanide defects: Energy level modeling
【24h】

Nonequivalent lanthanide defects: Energy level modeling

机译：非等效镧系元素缺陷：能级建模

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Empirical charge-state transition level schemes are popular tools to model the properties of lanthanide doped materials and their construction has become standard practice. Typically, it is implicitly assumed that all lanthanide ions form isostructural defects. However, in practice, multiple nonequivalent defects related to the same lanthanide can occur or different lanthanides can even incorporate in different ways. The consequences of these complications on the impurity energy levels are discussed in this article. It seems that small structural differences around.the lanthanide dopant can give rise to important spectral differences in its emission. These are not always clearly reproduced by the charge-state transition level schemes. Improvements to the existing procedure are suggested and applied to the lanthanide ions in the well-studied host crystals SrAl2O4, Sr2Si5N8 and SrGa2S4. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：经验电荷状态过渡能级方案是模拟镧系元素掺杂材料性能的常用工具，其构造已成为标准实践。通常，隐式假定所有镧系离子均形成同构缺陷。然而，实际上，可能会发生与同一镧系元素有关的多个非等效缺陷，或者不同的镧系元素甚至可以不同的方式结合。本文讨论了这些并发症对杂质能级的影响。镧系元素掺杂物周围的微小结构差异似乎可以在其发射中引起重要的光谱差异。电荷状态转换级方案并不总是清楚地再现这些内容。提出了对现有程序的改进，并将其应用于研究充分的主体晶体SrAl2O4，Sr2Si5N8和SrGa2S4中的镧系离子。 （C）2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号