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首页> 外文期刊>Optics Letters >Signal-to-noise performance of a short-wave infrared nanoinjection imager
【24h】

Signal-to-noise performance of a short-wave infrared nanoinjection imager

机译：短波红外纳米注射成像仪的信噪性能

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We report on the signal-to-noise performance of a nanoinjection imager, which is based on a short-wave IR InGaAsGaAsSb/InP detector with an internal avalanche-free amplification mechanism. Test pixels in the imager shownresponsivity values reaching 250 A=W at 1550 nm, −75 °C, and 1:5 V due to an internal charge amplification mech-nanism in the detector. In the imager, the measured imager noise was 28 electrons (e−) rms at a frame rate ofn1950 frames=s. Additionally, compared to a high-end short-wave IR imager, the nanoinjection camera shows 2norders of magnitude improved signal-to-noise ratio at thermoelectric cooling temperatures primarily due to thensmall excess noise at high amplification. © 2010 Optical Society of America
机译：我们报告了基于短波红外InGaAs / nGaAsSb / InP检测器和内部无雪崩放大机制的纳米级注入成像器的信噪性能。由于检测器内部的电荷放大机制，成像器中的测试像素在1550 nm，-75°C和1：5 V时的响应度值达到250 A = W。在成像器中，以n1950帧= s的帧频测量的成像器噪声为28个电子（e-）rms。此外，与高端短波红外成像仪相比，纳米注射相机在热电冷却温度下的信噪比提高了2个数量级，这主要是由于在高放大倍数下的小噪声所致。 ©2010美国眼镜学会

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