Optical and electrical multilevel storage in organic memory passive matrix arrays

Peter O. Koerner; R. Clayton Shallcross; Eduard Maibach; Anne Koehnen; Klaus Meerholz

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Optical and electrical multilevel storage in organic memory passive matrix arrays

机译：有机存储无源矩阵阵列中的光电多层存储

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The integration of organic memory diodes, based on photochromic transduction layers, into a simple cross-bar passive matrix array is presented. We show that the high rectification ratios of these diodes successfully suppresses crosstalk effects in these devices, thus avoiding the necessity to integrate additional diodes or transistors. We compare the passive matrix devices' performance to that of non-crossbar reference devices and discuss their performance limitations related to edge effects, which are a consequence of the fabrication process. Finally, we show that the analogue response of the current density to incremental switching of the transduction layer can be used for multi-level programming of the memory elements with no inherent limit to the number of intermediate states. We demonstrate the successful read-out of 8 current levels in a prototype device via both optical and electrical writing procedures.

机译：提出了将基于光致变色转换层的有机存储二极管集成到简单的交叉式无源矩阵阵列中。我们表明，这些二极管的高整流比可以成功地抑制这些器件中的串扰效应，从而避免了集成其他二极管或晶体管的必要性。我们将无源矩阵器件的性能与非交叉参考器件的性能进行了比较，并讨论了与边缘效应有关的性能限制，这是制造工艺的结果。最后，我们表明，电流密度对换能层的增量切换的模拟响应可用于存储元件的多级编程，而对中间状态的数量没有固有限制。我们演示了通过光学和电气写入程序成功读取了原型设备中的8个电流电平。

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来源
《Organic Electronics》 |2014年第12期|3688-3693|共6页
作者
Peter O. Koerner; R. Clayton Shallcross; Eduard Maibach; Anne Koehnen; Klaus Meerholz;
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作者单位

University of Cologne, Department of Chemistry, 50939 Cologne, Germany;

University of Cologne, Department of Chemistry, 50939 Cologne, Germany;

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Multilevel memory; Photochromic; Organic diode; Passive matrix array; Crosstalk;

机译：多级内存;光致变色;有机二极管无源矩阵阵列相声;

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