机译:湿法刻蚀制备的GaN微腔的光学表征
Graduate Institute of Electro-Optical Engineering, and Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, 106, R.O.C.;
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC); structure and morphology; thickness; crystalline orientation and texture; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; semiconductor materials in electrochemistry;
机译:通过对(111)Si衬底进行湿法化学刻蚀制造的具有介电分布布拉格反射器的GaN微腔结构
机译:通过湿法蚀刻制造的二氧化硅基微腔
机译:在通过湿法化学刻蚀制造的无掩模周期性刻纹蓝宝石上生长的InGaN / GaN基发光二极管
机译:通过光电化学湿法刻蚀制备的AlGaN / GaN电流孔径垂直电子晶体管
机译:使用光电化学蚀刻制造的氮化镓基微腔发射极。
机译:揭示侧壁取向在GaN基紫外发光二极管的湿法化学蚀刻中的作用
机译:后生长化学辅助离子束刻蚀制备的InGaN / GaN纳米柱的光学性质