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机译:具有局部过度补偿扩散区的背接触式背结Si太阳能电池-埋入式发射极与浮置基座设计的比较
Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE),79110 Freiburg,Germany;
Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE),79110 Freiburg,Germany;
Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE),79110 Freiburg,Germany;
Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE),79110 Freiburg,Germany;
backcontacted silicon solar cells; backjunction silicon solar cells; current transport; junction and shunt leakage currents; overcompensation of diffused junctions; twodimensional numerical device simulations;
机译:背面接触后的后隙Si太阳能电池,具有本地过度组分的扩散区 - 埋藏发射器和浮动基础设计的比较
机译:带有过度补偿的硼掺杂发射极的背接触式背结Si太阳能电池中的改善的扩散分布
机译:通过用磷基型掺杂对硼发射极进行过补偿来增强背接触式Si太阳能电池的电流收集
机译:埋设的发射器太阳能电池概念:间隙的后隙结构与小区区域的几乎100%发射极覆盖范围
机译:粘附力和界面断裂:从有机发光器件和光伏电池到发展中地区的太阳能电池。
机译:用于有机发光二极管和有机太阳能电池的D-π-A-π-D型二酮吡咯并吡咯基分子的光物理性质的理论研究
机译:用于背结c-Si太阳能电池的无TCO低温p +发射极
机译:浮子发射太阳能电池