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E Center in Silicon Has a Donor Level in the Band Gap

机译：硅电子中心在带隙方面具有捐赠者水平

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It has been an accepted fact for more than 40 years that the E center in Si (the group-Ⅴ impurity— vacancy pair)—one of the most studied defects in semiconductors—has only one energy level in the band gap: namely, the acceptor level at about 0.45 eV below the conduction band. We now demonstrate that it has a second level, situated in the lower half of the band gap at 0.27 eV above the valence band. The existence of this level, having a donor character, is disclosed by a combination of different transient-capacitance techniques and electronic-structure calculations. The finding seriously questions some diffusion-modeling approaches performed in the past.
机译：40多年来，一个公认的事实是，Si（Ⅴ族杂质—空位对）中的E中心（半导体中研究最多的缺陷之一）在带隙中只有一个能级：受体水平在导带以下约0.45 eV。现在，我们证明它具有第二级，位于价带上方0.27 eV的带隙下半部分。通过结合不同的瞬态电容技术和电子结构计算，可以揭示具有供体特性的该能级的存在。这一发现严重质疑了过去执行的一些扩散建模方法。

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