• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review >Wigner crystallization at graphene edges
【24h】

Wigner crystallization at graphene edges

机译：石墨烯边缘的威格纳结晶

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Using many-body configuration interaction techniques, we show that Wigner crystallization occurs at the zigzag edges of graphene at surprisingly high electronic densities up to 0.8 nm~(-1). In contrast with one-dimensional electron gas, the flatband structure of the edge states makes the system interaction dominated, facilitating electronic localization. The resulting Wigner crystal manifests itself in pair-correlation functions, and evolves smoothly as the edge electron density is lowered. We also show that the crystallization affects the magnetization of the edges. While the edges are fully polarized when the system is charge neutral (i.e., high density), above the critical density, the spin-spin correlations between neighboring electrons go through a smooth transition from antiferromagnetic to magnetic coupling as the electronic density is lowered.
机译：使用多体构型相互作用技术，我们显示了Wigner结晶发生在石墨烯的锯齿形边缘，电子密度高达0.8 nm〜（-1），出乎意料的高。与一维电子气相反，边缘态的平带结构使系统相互作用占主导地位，从而促进了电子定位。产生的维格纳晶体以对相关函数形式表现出来，并随着边缘电子密度的降低而平稳地演化。我们还表明结晶会影响边缘的磁化。当系统处于中性电荷状态（即高密度）时，边缘完全极化，但高于临界密度，但随着电子密度的降低，相邻电子之间的自旋-自旋相关性经历了从反铁磁到磁耦合的平稳过渡。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2016年第4期|045114.1-045114.5|共5页
  • 作者

    A. D. Gueclue;

  • 作者单位

    Department of Physics, Izmir Institute of Technology, IZTECH, TR-35430, Izmir, Turkey;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号