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Chemical disorder as an engineering tool for spin polarization in Mn_3Ga-based Heusler systems

机译：化学无序作为基于Mn_3Ga的Heusler系统中自旋极化的工程工具

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Our study highlights spin-polarization mechanisms in metals by focusing on the mobilities of conducting electrons with different spins instead of their quantities. Here, we engineer electron mobility by applying chemical disorder induced by nonstoichiometric variations. As a practical example, we discuss the scheme that establishes such variations in tetragonal Mn_3Ga Heusler material. We justify this approach using first-principles calculations of the spin-projected conductivity components based on the Kubo-Greenwood formalism. It follows that, in the majority of cases, even a small substitution of some other transition element instead of Mn may lead to a substantial increase in spin polarization along the tetragonal axis.
机译：我们的研究通过关注具有不同自旋的电子的迁移率而不是其数量来突出金属中的自旋极化机制。在这里，我们通过应用非化学计量变化引起的化学无序来设计电子迁移率。作为一个实际的例子，我们讨论了在四方Mn_3Ga Heusler材料中建立这种变化的方案。我们使用基于Kubo-Greenwood形式主义的自旋投影电导率分量的第一原理计算来证明这种方法的合理性。因此，在大多数情况下，即使是少量其他过渡元素代替Mn的替代，也可能导致沿四方轴的自旋极化大大增加。

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