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【24h】

Photoinduced pseudospin effects in silicene beyond the off-resonant condition

机译：超出非共振条件的硅中的光诱导伪自旋效应

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We study the photoinduced manipulation of charge carriers in monolayer silicene subject to intense electromagnetic terahertz radiation. Considering the Dirac cone approximation and going beyond the off-resonant condition for large frequencies of the radiation field, where only virtual photon processes are allowed, we present the exact zero-momentum pseudospin polarization and numerical results for the quasienergy band structure and time-averaged density of states. We find that resonant processes, due to real photon emission and absorbtion processes, induce a band inversion that qualitatively modifies the quasienergy spectrum. These band-structure changes manifest themselves as an inversion of the averaged pseudospin polarization. Through the analysis of the time-averaged density of states we find that effective photoinduced gap manipulation can only be achieved in the intermediate and strong matter-radiation coupling regime where the off-resonant approximation breaks down.
机译：我们研究了单层硅中受强电磁太赫兹辐射的电荷载流子的光诱导操纵。考虑到狄拉克锥近似并且对于大范围的辐射场超出了非共振条件，其中仅允许虚拟光子过程，我们给出了准能带结构和时间平均的精确零动量伪自旋极化以及数值结果国家的密度。我们发现，由于实际的光子发射和吸收过程，共振过程会引起能定性修改准能谱的能带反转。这些能带结构的变化表现为平均伪自旋极化的反转。通过分析时间的平均状态密度，我们发现有效的光致间隙操纵只能在非共振近似分解的中间和强物质-辐射耦合机制中实现。

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