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Voltage bistability of coherent electron injection and nonlinear dynamics of a Bloch oscillation in a semiconductor superlattice

机译:半导体超晶格中相干电子注入的电压双稳态和Bloch振荡的非线性动力学

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摘要

Voltage bistability is demonstrated at low temperature in a biased unipolar GaAs/AlGaAs superlattice, using a design based on tunneling from a charge reservoir into a Wannier-Stark ladder and competition between nearest and next-nearest neighbor coherent injection channels. The static conduction characteristics are accounted for by a density matrix approach of coherent injection in an inhomogeneous three-level system with resistive load. Electrostatic retroaction on the energy levels is shown to provide an adequate nonlinear feedback mechanism for bistability, as well as for other instability regimes including sustained Bloch oscillation above a retroaction threshold.
机译:使用基于从电荷库到Wannier-Stark阶梯的隧穿以及最近的和最近的相邻相干注入通道之间的竞争的设计,在偏置的单极GaAs / AlGaAs超晶格中在低温下证明了电压双稳态。在具有电阻性负载的非均质三能级系统中,通过相干注入的密度矩阵方法来解释静电传导特性。能量水平上的静电逆流显示出可为双稳态以及其他不稳定性状态(包括逆向阈值以上的持续Bloch振荡)提供足够的非线性反馈机制。

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  • 来源
    《Physical review》 |2015年第24期|245308.1-245308.11|共11页
  • 作者单位

    Institut Mines-Telecom/Telecom ParisTech, 46 rue Barrault, 75 634 Paris Cedex 13, France ,CNRS/LPN, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, 91 460 Marcoussis, France;

    CNRS/LPN, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, 91 460 Marcoussis, France;

    CNRS/LPN, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, 91 460 Marcoussis, France;

    CNRS/LPN, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, 91 460 Marcoussis, France;

    CNRS/LPN, Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, 91 460 Marcoussis, France;

    Laboratoire Pierre Aigrain, Ecole Normale Superieure, CNRS (UMR 8551), Universite P. et M. Curie, Universite D. Diderot, 75231 Paris Cedex 05, France;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    tunneling; quantum transport;

    机译:隧道量子传输;

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