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Two-dimensional topological insulator edge state backscattering by dephasing

机译：相移引起的二维拓扑绝缘子边缘状态反向散射

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To understand the seemingly absent temperature dependence in the conductance of two-dimensional topological insulator edge states, we perform a numerical study which identifies the quantitative influence of the combined effect of dephasing and elastic scattering in charge puddles close to the edges. We show that this mechanism may be responsible for the experimental signatures in HgTe/CdTe quantum wells if the puddles in the samples are large and weakly coupled to the sample edges. We propose experiments on artificial puddles which allow one to verify this hypothesis and to extract the real dephasing time scale using our predictions. In addition, we present a method to include the effect of dephasing in wave-packet-time-evolution algorithms.
机译：为了了解二维拓扑绝缘子边缘状态的电导中看似不存在的温度依赖性，我们进行了一项数值研究，确定了靠近边缘的电荷坑中相移和弹性散射的组合效应的定量影响。我们表明，如果样品中的水坑较大且与样品边缘的耦合较弱，则该机制可能是HgTe / CdTe量子阱中实验信号的原因。我们提出了关于人工水坑的实验，该实验可以验证这一假设并使用我们的预测来提取实际的移相时间尺度。此外，我们提出了一种在波包时间演化算法中包括移相效果的方法。

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