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机译:用密度泛函理论研究GaP / Si(111),GaP / Si(110)和GaP / Si(113)界面和超晶格的原子和电子结构
Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic, Cukrovarnickd 10,16200 Prague, Czech Republic;
Ilmenau University of Technology, Institute of Physics, 98684 Ilmenau, Germany and CiS Forschungsinstitut fuer Mikrosensorik und Photovoltaik GmbH, Konrad-Zuse-Strasse 14, 99099 Erfurt, Germany;
Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7,10117 Berlin, Germany;
interface structure and roughness; interfaces; heterostructures; nanostructures; Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions;
机译:APS -APS 3月会议2017 - 事件 - 弹性应变对带隙,带对准和外延Asn $ O_ {3} $(A = CA,SR和BA)薄膜和异质结构的磁带隙和电子结构的影响光曝光,光谱椭圆形和密度泛函理论
机译:GaP / Si(001)异质界面原子和电子结构的从头算密度泛函理论研究
机译:GaP / Si(001)异质界面原子和电子结构的从头算密度函数理论研究
机译:基于密度泛函理论的地球富裕光伏吸收器的精确带隙
机译:极性氧化物界面的原子和电子结构:电子显微镜和密度泛函理论研究。
机译:密度矩阵重归一化基团对密度泛函理论(DMRG-PDFT):聚苯乙炔和聚乙炔中的单重态-三重态间隙
机译:准粒子带结构和密度泛函理论: 格子模型中的单粒子激发和带隙