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Quantum Hall boundary state around the line defect in graphene

机译：石墨烯线缺陷周围的量子霍尔边界态

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摘要

Within the continuum model, i.e., the Dirac equation approach, we study the boundary states around the line defect in graphene in the quantum Hall regime. We find that the boundary states localize at the opposite sides of the line defect if they propagate toward the opposite directions. Meanwhile, some boundary states show simultaneously the valley and sublattice polarizations. In addition, a pseudomagnetic field induced by an inhomogeneous strain field, in place of the real magnetic field, can drive the line defect embedded graphene to the quantum valley Hall regime, due to the occurrence of the valley polarized boundary states.
机译：在Dirac方程法等连续模型中，我们研究了量子霍尔体系中石墨烯线缺陷周围的边界状态。我们发现，如果边界状态朝着相反的方向传播，则它们会位于线缺陷的相反两侧。同时，一些边界状态同时显示谷和子晶格极化。另外，由非均匀应变场感应的伪磁场代替了真实磁场，由于谷值极化边界态的出现，可以将嵌入线缺陷的石墨烯驱动到量子谷霍尔效应。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2013年第23期|235419.1-235419.7|共7页
  • 作者

    Hai-Bo Yao; Xiao-Ling Lue; Yi-Song Zheng;

  • 作者单位

    Department of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China;

    Department of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China;

    Department of Physics, Jilin University, Changchun 130012, China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    quantum hall effects; quantum wires;

    机译：量子霍尔效应量子线;

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