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【24h】

Tailoring magnetoresistance at the atomic level: An ab initio study

机译:在原子水平上调整磁阻:从头算研究

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摘要

The possibility of manipulating the tunneling magnetoresistance (TMR) of antiferromagnetic nanostructures is predicted in the framework of ab initio calculations. By the example of a junction composed of an antiferromagnetic dimer and a spin-polarized scanning tunneling microscopy tip we show that the TMR can be tuned and even reversed in sign by lateral and vertical movements of the tip. Moreover, our finite-bias calculations demonstrate that the magnitude and the sign of the TMR can also be tuned by an external voltage.
机译:在从头算计算的框架中预测了操纵反铁磁纳米结构的隧穿磁阻(TMR)的可能性。通过由反铁磁二聚体和自旋极化扫描隧道显微镜尖端组成的接合点的示例,我们显示,通过尖端的横向和垂直运动,TMR可以被调谐甚至在符号上反转。此外,我们的有限偏置计算表明,TMR的大小和符号也可以通过外部电压进行调整。

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