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机译:单电子隧穿振荡中的电荷波动
Universite Bordeaux, LOMA, UMR 5798, F-33400 Talence, France and CNRS, LOMA, UMR 5798, F-33400 Talence, France;
Universite Bordeaux, LOMA, UMR 5798, F-33400 Talence, France and CNRS, LOMA, UMR 5798, F-33400 Talence, France;
quantum hall effects; noise processes and phenomena; tunneling; single electron devices;
机译:为什么硅单电子隧穿晶体管中的长期电荷偏移漂移比金属基晶体管中的电荷偏移漂移小得多(更好):两级波动器稳定性
机译:单电子隧穿引起的电荷自旋积累的自激振荡
机译:单电子隧穿的磁对称电流波动
机译:单电子晶体管在大电荷波动方案中的电流和电荷噪声超出平衡
机译:多岛单电子隧穿装置中的随机电荷传输
机译:尺寸无关单电子隧穿
机译:单电子隧穿振荡中的电荷波动