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Tunable Kondo-Mott physics in bulk Bi_2Te_2Se topological insulator

机译：Bi_2Te_2Se拓扑绝缘体中的可调谐Kondo-Mott物理

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Three-dimensional Bi_2Te_2Se topological insulator (TI) reveals itinerant-localized duality of correlated electrons. Motivated thereby, we investigate the role of local, multiorbital electron interactions in bulk Bi_2Te_2Se. Within local density approximation plus dynamical mean-field theory (LDA + DMFT), we derive a Kondo-Mott electronic transition with an intermediate Dirac-like phase characterized by linear spectral functions. Mott localization and spin-orbit induced weak antilocalization mark the channel-selective insulating phase. Good semiquantitative agreement with spectroscopy and electrical transport can serve as a theoretical basis for postulating that Mottness is a remarkable way to approach maximally bulk-insulating behavior in real TIs.
机译：三维Bi_2Te_2Se拓扑绝缘体（TI）揭示了相关电子的流动局部二元性。因此，我们研究了本体Bi_2Te_2Se中局部，多轨道电子相互作用的作用。在局部密度近似加上动力学平均场论（LDA + DMFT）的基础上，我们推导了一个Kondo-Mott电子跃迁，该跃迁具有一个以线性谱函数为特征的中间Dirac类相。莫特定位和自旋轨道诱导的弱反定位标志着通道选择性绝缘相。与光谱学和电传输的良好半定量一致性可以作为假设Mottness是在真实TI中实现最大体积绝热行为的非凡方法的理论基础。

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