Evidence of N substitution by Mn in GaN

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• 来源
  《Physical review》 |2012年第19期|195202.1-195202.4|共4页
• 作者

  L.M. C. Pereira; U. Wahl; J. G. Correia; S. Decoster; L. M. Amorim; M. R. da Silva; J. P. Araujo; A. Vantomme;

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• 作者单位

  Instituut voor Kern-en Stralingsfysica, KU Leuven, 3001 Leuven, Belgium,Instituto Tecnologico e Nuclear, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, 2686-953 Sacavem, Portugal,IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Universidade do Porto, 4169-007 Porto, Portugal;

  Instituto Tecnologico e Nuclear, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, 2686-953 Sacavem, Portugal;

  Instituto Tecnologico e Nuclear, Instituto Superior Tecnico, Universidade Tecnica de Lisboa, 2686-953 Sacavem, Portugal;

  Instituut voor Kern-en Stralingsfysica, KU Leuven, 3001 Leuven, Belgium;

  Instituut voor Kern-en Stralingsfysica, KU Leuven, 3001 Leuven, Belgium;

  Centro de Fi'sica Nuclear da Universidade de Lisboa, 1649-003 Lisboa, Portugal;

  IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Universidade do Porto, 4169-007 Porto, Portugal;

  Instituut voor Kern-en Stralingsfysica, KU Leuven, 3001 Leuven, Belgium;

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• 正文语种 eng
• 中图分类
• 关键词

  magnetic semiconductors; ion radiation effects; Ⅱ-Ⅵ semiconductors;

  机译：磁性半导体离子辐射效应;Ⅱ-Ⅵ半导体;