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【24h】

Electron localization in inhomogeneous Moebius rings

机译:非均质Moebius环中的电子定位

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摘要

The effects of inhomogeneity on the electron states in semiconductor Mobius rings at the microscale are theoretically investigated. Effective electron localization in the untwisted part of an inhomogeneous Mobius ring is caused by a change of the electron quantized kinetic energy. We suggest an experimental method to detect the electron localization by measuring persistent currents in inhomogeneous Mobius rings.
机译:理论上研究了非均匀性对半导体莫比乌斯环中电子态的影响。电子不均匀的莫比乌斯环的非扭转部分中的有效电子定位是由电子量化动能的变化引起的。我们建议一种实验方法,通过测量不均匀Mobius环中的持续电流来检测电子定位。

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