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机译:V_2O_5(001)的表面反应性:空位,质子化,羟基化和氯化的影响
Department of Chemical Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-2220, USA;
Department of Energy Resources Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-2220, USA;
Department of Energy Resources Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305-2220, USA;
surface and interface chemistry; heterogeneous catalysis at surfaces; computational modeling; simulation; chemisorption/physisorption: adsorbates on surfaces;
机译:表面应变对Au Adatoms对MgO(001)表面的吸附的影响
机译:表面氧空位的强相关NiO(001)表面上铁原子的吸附:氧化物的支持作用
机译:表面化学对Si(001)上空位和间质an灭的影响
机译:通过镜面反射质子诱导的SNTR(001)和KCl(001)表面的二次电子发射
机译:了解金属表面添加剂对用于修复氯化有机化合物的铁基双金属还原剂反应性的影响。
机译:探索硫磺空位的演变机制通过调查空位缺陷在互动中的作用H2S和FES(001)表面
机译:SRTIO3(001)表面的电子结构:氧空位和氢吸附的影响