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Dynamics of domain wall driven by spin-transfer torque

机译：自旋传递转矩驱动的畴壁动力学

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Spin-torque switching of magnetic devices offers new technological possibilities for data storage and integrated circuits. We have investigated domain-wall motion in a ferromagnetic thin film driven by a spin-polarized current using an atomistic spin model with a modified Landau-Lifshitz-Gilbert equation including the effect of the spin-transfer torque. The presence of the spin-transfer torque is shown to create an out-of-plane domain wall, in contrast to the external-field-driven case where an in-plane wall is found. We have investigated the effect of the spin torque on domain-wall displacement, domain-wall velocity, and domain-wall width, as well as the equilibration time in the presence of the spin-transfer torque. We have shown that the minimum spin-current density, regarded as the critical value for domain-wall motion, decreases with increasing temperature.
机译：磁性设备的自转矩切换为数据存储和集成电路提供了新的技术可能性。我们使用具有改进的Landau-Lifshitz-Gilbert方程的原子自旋模型，研究了由自旋极化电流驱动的铁磁薄膜中的畴壁运动，该方程包括修正的自旋传递转矩的影响。与外磁场驱动的情况（在其中发现面内壁）相比，自旋传递扭矩的存在显示出可创建面外畴壁。我们研究了自旋扭矩对畴壁位移，畴壁速度和畴壁宽度以及存在自旋传递扭矩时的平衡时间的影响。我们已经表明，最小的自旋电流密度（被视为畴壁运动的临界值）随着温度的升高而降低。

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