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【24h】

Raman signature of electron-electron correlation in chemically doped few-layer graphene

机译:化学掺杂的几层石墨烯中电子-电子相关性的拉曼特征

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摘要

We report an experimental Raman study of few-layer graphene after chemical doping achieved by a plasma process in CHF_3 gas. A systematic reduction of both the splitting and the area of the 2D band is observed with increasing doping level. Both effects can be ascribed to the electron-electron correlation, which, on the one hand, reduces the electron-phonon coupling strength and, on the other hand, affects the probability of the double-resonance Raman process.
机译:我们报告了通过化学方法在CHF_3气体中进行化学掺杂后对几层石墨烯进行的拉曼实验研究。随着掺杂水平的提高,观察到了二维带分裂和面积的系统减小。两种作用都可以归因于电子-电子相关性,一方面,它降低了电子-声子的耦合强度,另一方面,影响了双共振拉曼过程的可能性。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2011年第24期|p.241401.1-241401.4|共4页
  • 作者

    Matteo Bruna; Stefano Borini;

  • 作者单位

    IstitutB.83 NaziB.83nale di Ricerca MetrB.83lB.83gica, 1-10135 TB.83rinB.83, Italy;

    IstitutB.83 NaziB.83nale di Ricerca MetrB.83lB.83gica, 1-10135 TB.83rinB.83, Italy;

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  • 正文语种 eng
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