...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review >Vacancy-induced bound states in topological insulators
【24h】

Vacancy-induced bound states in topological insulators

机译：拓扑绝缘体中空位诱导的束缚态

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We present an exact solution of a modified Dirac equation for topological insulator in the presence of a hole or vacancy to demonstrate that vacancies can induce bound states in the band gap of topological insulators. They arise due to the Z_2 classification of time-reversal invariant insulators. Coexistence of the in-gap bound states and the edge or surface states in topological insulators suggests that imperfections may affect transport properties of topological insulators via additional bound states near the system boundary.
机译：我们提出了一个存在孔或空位的拓扑绝缘子的修正Dirac方程的精确解，以证明空位可以在拓扑绝缘子的带隙中诱导束缚态。它们的出现是由于时间反向不变绝缘子的Z_2分类。拓扑绝缘体中间隙内束缚态与边缘或表面态的共存表明，缺陷可能会通过系统边界附近的附加束缚态影响拓扑绝缘子的传输特性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号