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Tunneling conductance and local density of states in tight-binding junctions

机译：紧密结合结中的隧穿电导和状态的局部密度

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摘要

We study the relationship between the differential conductance and the local density of states in tight-binding tunnel junctions where the junction geometry can be varied between the point-contact and the planar-contact limits. The conductances are found to differ significantly in these two limiting cases. We also examine how the matrix element influences the tunneling characteristics and produces contrast in a simple model of scanning tunneling microscope (STM). Some implications regarding the interpretation of STM spectroscopic data in the cuprates are discussed. The calculations are carried out within the real-space Keldysh formalism.
机译：我们研究了紧密电导的隧道结中差分电导与状态局部密度之间的关系，其中结几何形状可以在点接触和平面接触极限之间变化。在这两种极限情况下，发现电导显着不同。我们还检查了矩阵元素如何在简单的扫描隧道显微镜（STM）模型中影响隧道特性并产生对比度。讨论了有关铜酸盐中STM光谱数据解释的一些含义。计算是在真实空间的Keldysh形式主义中进行的。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2011年第15期|p.155414.1-155414.13|共13页
  • 作者

    C. Berthod; T. Giamarchi;

  • 作者单位

    DPMC-MaNEP, Universite de Geneve, 24 quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneve 4, Switzerland;

    DPMC-MaNEP, Universite de Geneve, 24 quai Ernest-Ansermet, CH-1211 Geneve 4, Switzerland;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    tunneling; metal-to-metal contacts;

    机译：隧道金属对金属触点;

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