Unoccupied dimer-bond state at Si(001) surfaces

Thomas Fauster; Shinichiro Tanaka; Katsumi Tanimura

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【24h】

Unoccupied dimer-bond state at Si(001) surfaces

机译：Si（001）表面的空二聚键状态

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Two-photon photoemission is used to identify the unoccupied dimer-bond state on the Si(001) surface at an energy 2.83 eV above the valence-band maximum. A strong resonance enhancement is found for excitation from the occupied dangling-bond state. The azimuthal and polarization dependence proves the orientation of the observed state along the dimer axis. The dispersion is dominated by the occupied initial state described by -0.50 free-electron masses in one- and two-photon photoemission.

机译：两光子光发射用于在价带最大值以上2.83 eV的能量下识别Si（001）表面上未占据的二聚键状态。发现了强烈的共振增强，以从占据的悬空键态激发。方位角和极化依赖性证明了观察到的状态沿二聚体轴的方向。在一个和两个光子的光发射中，色散以所占据的初始状态（由-0.50自由电子质量描述）为主。

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来源
《Physical review》 |2011年第23期|p.235444.1-235444.5|共5页
作者
Thomas Fauster; Shinichiro Tanaka; Katsumi Tanimura;
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作者单位

Lehrstuhl fuer Festkoerperphysik, Universitaet Erlangen-NUrnberg, D-91058 Erlangen, Germany;

The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan;

The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, Japan;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
clean metal, semiconductor, and insulator surfaces; surface states, band structure, electron density of states;

机译：清洁金属;半导体和绝缘体表面;表面态;能带结构;态电子密度;

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