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Phonon renormalization in doped bilayer graphene

机译：掺杂双层石墨烯中的声子重整化

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摘要

We report phonon renormalization in bilayer graphene as a function of doping. The Raman G peak stiffens and sharpens for both electron and hole doping as a result of the nonadiabatic Kohn anomaly at the Γ point. The bilayer has two conduction and valence subbands, with splitting dependent on the interlayer coupling. This gives a change of slope in the variation of G peak position with doping which allows a direct measurement of the interlayer coupling strength.
机译：我们报告双层石墨烯中的声子重正化是掺杂的函数。由于Γ点处的非绝热Kohn异常，拉曼G峰对电子和空穴掺杂都变硬和变尖。双层具有两个导带和价子带，其分裂取决于层间耦合。这给出了掺杂时G峰位置变化的斜率变化，从而可以直接测量层间耦合强度。

著录项

  • 来源
    《Physical review》 |2009年第15期|802-808|共7页
  • 作者

    A. Das; B. Chakraborty; S. Piscanec; S. Pisana; A. K. Sood; A. C. Ferrari;

  • 作者单位

    Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;

    Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;

    Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom;

    Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom;

    Department of Physics, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India;

    Department of Engineering, Cambridge University, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    electronic transport in nanoscale materials and structures;

    机译：纳米级材料和结构中的电子传输;

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