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机译:脉冲激光沉积在Ag(001)上生长氧化镍的初始阶段
ReCOE and FPRD, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea;
ReCOE and FPRD, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea;
ReCOE and FPRD, Department of Physics and Astronomy, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea;
Department of Physics, Sook-Myung Women's University, Seoul 140-742, Korea;
scanning tunneling microscopy (including chemistry induced with STM); defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.; laser deposition;
机译:SrRuO3薄膜在SrTiO3(001)上的早期异质外延生长取决于脉冲激光沉积过程中的生长温度
机译:退火和阶段覆盖对通过脉冲激光沉积在硅上复合氧化物外延生长的重要性
机译:脉冲激光沉积在(001)LaAlO_3上室温外延生长(001)CeO_2
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜
机译:通过脉冲激光沉积在硅和砷化镓上异质外延生长钇钡铜氧化物和其他金属氧化物。
机译:脉冲激光沉积法生长四方氧化锆纳米层结构
机译:用脉冲激光在ag(001)上生长氧化镍的初始阶段 沉积
机译:使用脉冲激光沉积在(001)金属表面上外延生长氧化物薄膜