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Spin relaxation of conduction electrons in (HO)-grown quantum wells: A microscopic theory

机译：（HO）生长的量子阱中传导电子的自旋弛豫：微观理论

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The theory of spin relaxation of conduction electrons is developed for zinc-blende-type quantum wells grown on (110)-oriented substrate. It is shown that, in asymmetric structures, the relaxation of electron spin initially oriented along the growth direction is characterized by two different lifetimes and leads to the appearance of an in-plane spin component. The magnitude and sign of the in-plane component are determined by the structure inversion asymmetry of the quantum well and can be tuned by the gate voltage. In an external magnetic field, the interplay of cyclotron motion of carriers and the Larmor precession of electron spin can result in a nonmonotonic dependence of the spin density on the magnetic field.
机译：导电电子的自旋弛豫理论是针对在（110）取向衬底上生长的锌共混物型量子阱而开发的。结果表明，在不对称结构中，最初沿生长方向取向的电子自旋弛豫的特征在于两个不同的寿命，并导致出现面内自旋分量。平面内分量的大小和符号由量子阱的结构反转不对称性确定，并且可以通过栅极电压进行调整。在外部磁场中，载流子回旋运动的相互作用和电子自旋的拉莫尔进动可导致自旋密度对磁场的非单调依赖性。

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