Metal contacts in carbon nanotube field-effect transistors: Beyond the Schottky barrier paradigm

J. J. Palacios; P. Tarakeshwar; Dae M. Kim

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【24h】

Metal contacts in carbon nanotube field-effect transistors: Beyond the Schottky barrier paradigm

机译：碳纳米管场效应晶体管中的金属接触：超越肖特基势垒范式

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The observed performances of carbon nanotube field-effect transistors are examined using first-principles quantum transport calculations. We focus on the nature and role of the electrical contact of Au and Pd electrodes to open-ended semiconducting nanotu

机译：使用第一性原理量子传输计算来检验碳纳米管场效应晶体管的观察性能。我们专注于金和钯电极与开放式半导体纳米管的电接触的性质和作用

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来源
《Physical review》 |2008年第11期|117-120|共4页
作者
J. J. Palacios; P. Tarakeshwar; Dae M. Kim;
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正文语种 eng
中图分类
关键词
nanotubes; metal-semiconductor-metal structures;

机译：纳米管金属-半导体-金属结构;

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