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Edge-type Josephson junctions, in narrow thin-film strips

机译：边缘型约瑟夫森结，在狭窄的薄膜条中

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We study the field dependence of the maximum current I_m(H) in narrow edge-type thin-film Josephson junctions. We calculate I_m(H) within nonlocal Josephson electrodynamics taking into account the stray fields. These fields affect the difference of phases of the order parameter across the junction and therefore the tunneling currents. We find that the phase difference along the junction is proportional to the applied field, depends on the junction geometry, but is independent of the Josephson critical current density, i.e., it is universal. An explicit formula for this universal function is derived and used to calculate I_m(H). It is shown that the maxima of I_m(H)∝ 1 /H1/2 and the zeros of I_m(H) are equidistant only in high fields. We find that the spacing between the zeros is proportional to 1/w~2, where w is the width of the junction. The general approach is applied to calculate I_m(H) for a superconducting quantum interference device (SQUID) with two narrow edge-type junctions.
机译：我们研究了窄边型薄膜约瑟夫森结中最大电流I_m（H）的场依赖性。考虑杂散场，我们在非局部约瑟夫森电动力学中计算I_m（H）。这些场影响跨接点的阶跃参数的相位差，从而影响隧穿电流。我们发现沿结的相位差与施加的电场成比例，取决于结的几何形状，但与约瑟夫森临界电流密度无关，即它是通用的。导出了此通用函数的显式公式，并将其用于计算I_m（H）。结果表明，I_m（H）∝ 1 / H1 / 2的最大值与I_m（H）的零点仅在高场中是等距的。我们发现零点之间的间距与1 / w〜2成正比，其中w是结的宽度。通用方法适用于计算具有两个窄边型结的超导量子干涉装置（SQUID）的I_m（H）。

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