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Large impurity effects in rubrene crystals: First-principles calculations

机译：红宝石晶体中的大杂质影响：第一性原理计算

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Carrier mobilities of rubrene films are among the highest values reported for any organic semiconductor. Here, we probe with first-principles calculations the sensitivity of rubrene crystals on impurities. We find that isolated oxygen impurities create distinct peaks in the electronic density of states consistent with observations of defect levels in rubrene and that increased O content changes the position and shape of rubrene energy bands significantly. We also establish a dual role of hydrogen as individual H species and H impurity pairs create and annihilate deep carrier traps, respectively. The results are relevant to the performance and reliability of rubrene-based devices.
机译：红宝石膜的载流子迁移率是所有有机半导体中报道的最高值之​​一。在这里，我们用第一性原理探讨了红宝石晶体对杂质的敏感性。我们发现，孤立的氧杂质在状态的电子密度中产生明显的峰，这与对红荧烯中缺陷水平的观察一致，并且增加的O含量会显着改变红荧烯能带的位置和形状。我们还建立了氢的双重作用，因为各个H物种和H杂质对分别产生并消除了深载流子陷阱。结果与基于红荧烯的设备的性能和可靠性有关。

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