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首页> 外文期刊>Physical review. B, Condensed Matter And Materials Physics >Photoluminescence microscopy of carbon nanotubes grown by chemical vapor deposition: Influence of external dielectric screening on optical transition energies
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Photoluminescence microscopy of carbon nanotubes grown by chemical vapor deposition: Influence of external dielectric screening on optical transition energies

机译：化学气相沉积生长的碳纳米管的光致发光显微镜：外部电介质筛选对光跃迁能的影响

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Photoluminescence (PL) laser microscopy was applied to determine optical transition energies E_(11) and E_(22) of individual semiconducting single-walled carbon nanotubes (SWNTs) suspended on top of carbon nanotube "forests," grown by chemical vapor deposition (CVD) on silicon substrates. A uniform increase of E_(11) and E_(22) energies by 40-55 and 24-48 meV, respectively, was found for 19 different (n,m) nanotube species suspended in air or a vacuum—relative to SWNTs in a reference water-surfactant dispersion. CVD-grown SWNTs embedded in paraffin oil and 1-methylnaphthalene show nearly the same PL peak positions as SWNTs in aqueous dispersion, indicating similar dielectric screening of excitons in SWNTs in these media.
机译：应用光致发光（PL）激光显微镜确定悬浮在碳纳米管“森林”顶部的单个半导体单壁碳纳米管（SWNT）的光学跃迁能E_（11）和E_（22），该碳纳米管通过化学气相沉积（CVD）生长）在硅基板上。对于悬浮在空气或真空中的19种不同的（n，m）纳米管，发现相对于SWNTs，E_（11）和E_（22）能量分别均匀增加40-55和24-48 meV。参考水表面活性剂分散体。嵌入石蜡油和1-甲基萘中的CVD生长的SWNT在水分散液中显示出与SWNT几乎相同的PL峰位置，表明在这些介质中，SWNT中的激子具有相似的介电筛选。

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