...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Physical review. B, Condensed Matter And Materals Physics >Dark and bright excitonic states in nitride quantum dots
【24h】

Dark and bright excitonic states in nitride quantum dots

机译：氮化物量子点中的暗和亮激子态

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Formation of excitonic states in quantum dots, of nitride based Ⅲ-Ⅴ semiconductors GaN and AlN, including Coulombic interaction, exchange interaction, and dielectric effects, are investigated. Dark exciton formation is found to occur for both GaN quantum dots (QD's) with wurtzite structure having positive crystal field splitting and GaN and AlN QD's with zinc-blende structure having zero crystal field splitting. The transition from dark to bright exciton occurs between radii range 20-40 A depending on the amount of dielectric mismatch between the dot and the surroundings. In wurtzite AlN QD's with negative crystal field splitting, the splitting between the dark and bright excitonic states is very small and vanishes at about 15 A.
机译：研究了氮化物基Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN和AlN在量子点中激子态的形成，包括库仑相互作用，交换相互作用和介电效应。对于具有正晶场分裂的纤锌矿结构的GaN量子点（QD）和具有零晶场分裂的闪锌矿结构的GaN和AlN QD，都发现了暗激子的形成。从暗激子到亮激子的过渡发生在半径范围20-40 A之间，具体取决于点与周围环境之间的介电失配量。在具有负晶场分裂的纤锌矿AlN QD中，暗和亮激子态之间的分裂非常小，并在约15 A时消失。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号